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    瓷介电容器的内部缺陷及对可靠性的影响
    来源:www.hirsii.com 发布时间:2018年02月07日
    固定陶瓷电容器以陶瓷为介质,涂敷金属薄膜经高温烧结而成。由于瓷介电容器价格低、特性范围宽、容积效率高以及很高的频率容量,因此使其得到了非常广泛的应用。

     

    咸阳瓷介电容器


    瓷介电容的介质是陶瓷,陶瓷的特点抗机械应力的能力差;抗温度梯度的能力差。在应用瓷介电容器时要尽量避免电容的两个电极受到异常的机械应力和温度应力而导致电容器内部产生裂纹而失效。
     
    下面主要列举瓷介电容器在失效分析过程中所遇到的内部缺陷及对应用可靠性的影响。

    一、瓷介电容内部的结瘤缺陷
    结瘤缺陷是瓷介电容制造过程中,金属化电极材料涂敷不均匀导致的金属化电极堆积变形所形成的。由于金属化电极的变形会导致瓷介介质变形,从而使电容器的介质变薄而使击穿电压下降。金属化电极的变形也可导致电容在加电时电场不均匀而击穿失效。

    二、 瓷介电容器内部的介质空洞缺陷
    介质空洞是瓷介电容器内部常见的缺陷,它是瓷介电容器在制造过程中瓷介质的空洞所造成的。它对此介电容器的使用可靠性的主要影响是:

    1、空洞的存在会导致瓷介电容器局部击穿电压降低而导致击穿失效或两个电极之间的绝缘电阻降低;

    2、在电压较高时会使空洞处的空气电离化而产生漏电通道而漏电失效。

    三、瓷介电容器内部的分层缺陷
    瓷介电容器内部的分层缺陷也是瓷介电容器内部常见的缺陷,它是瓷介电容器在制造过程中瓷介质与金属化电极之间接触不紧密所造成的。它对介电容器的使用可靠性的主要影响是:

    1、可导致电容的击穿电压下降,也可导致两个极之间的绝缘下降;

    2、分层缺陷可导致瓷介电容器的抗机械能力进一步下降。

    四、 瓷介电容器的电极与电容主体接触不良

    这种缺陷是瓷介电容在制造过程中电极与电容主体之间烧焊工艺不良所造成的。这种接触不良在应用过程中会造成电容器的开路和接触电阻增大失效。


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